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muRata产品用于通信领域

2025-05-15

📐 一、超小型封装（0402，1.0×0.5mm）

适用于高密度射频模组和便携设备，追求精密空间节省：

  • 型号示例：

    • GRM1555C1H330FA01D：33pF，50V，C0G/NP0，容差±1%
      → 用于天线匹配、振荡器稳频，温度漂移±30ppm/°C，保障5G/Wi-Fi信号完整性

    • GRM155F51H：系列覆盖0.5pF–10nF，50V，C0G/NP0
      → 低ESR特性适配毫米波射频滤波器设计

    • GRM155C81E105KE11D：1μF，25V，X6S（-55℃~105℃）
      → 用于FPGA内核去耦，比X5R更高温稳定性

📏 二、主流小型封装（0603，1.6×0.8mm）

平衡尺寸与性能，广泛用于射频/中频电路：

  • 典型型号：

    • GRM1885C1H152JA01D：1.5nF (152)，50V，C0G/NP0，±5%容差
      → 关键优势：SRF（自谐振频率）达GHz级，用于LNA输入匹配及PA输出滤波

🔧 三、中等封装（0805，2.0×1.25mm）

侧重电源稳压及中容量储能：

  • 高容型号：

    • GRM21BR60J107ME15：100μF，6.3V，X5R，±20%
      → 用于SoC瞬时电流补偿（如基带芯片），但注意X5R在低温下容值衰减

  • 通用型号：

    • GRM21BR61C106KE15L：10μF，16V，X5R
      → 电源输入级滤波，成本低但温度稳定性弱于X7R

⚙️ 四、大尺寸封装（1206/1210，3.2×1.6mm/3.2×2.5mm）

用于高压输入滤波及大电流缓冲：

  • 型号代表：

    • GRM316R61A：2.2–4.7μF，100V，X7R
      → 基站电源DC-DC输出滤波，耐压高且ESL低

    • GRM32ER71H475KA88L：4.7μF，50V，X7R
      → 适用于PoE模块的48V转压电路

🔋 五、超高容系列（150–330μF）

应对CPU/GPU瞬时负载，替代电解电容：

  • 典型应用：

    • 220μF/330μF，2.5V–6.3V，X5R/X6S
      → 用于5G RRU（射频拉远单元）的FPGA供电网络，降低纹波

📊 通信领域MLCC选型速查表

封装尺寸典型型号介电材料容值范围电压范围通信应用场景
0402GRM1555C1H330FA01DC0G (NP0)0.5pF–100nF16V-50V射频匹配、高频振荡器
0402GRM155C81E105KE11DX6S100nF–2.2μF6.3V-25V芯片去耦、传感器滤波
0603GRM1885C1H152JA01DC0G (NP0)1pF–100nF25V-50V射频滤波器、阻抗匹配网络
0805GRM21BR60J107ME15X5R1μF–100μF4V-25VSoC电源缓冲、DC-DC输出电容
1206/1210GRM316R61A, GRM32ER71H475KA88LX7R1μF–22μF50V-100V基站电源输入滤波、高压隔离
定制大尺寸未公开型号X5R/X6S150μF–330μF2.5V-6.3VFPGA/ASIC供电网络储能

注：C0G(NP0)为I类陶瓷，容值稳定（ΔC/C ≤ ±0.3%）；X7R/X5R/X6S为II类陶瓷，容值随温度/电压变化较大（ΔC/C可达±15%~−80%）。

⚡️ 选型关键建议

  1. 高频电路（>1GHz）：
    必选 C0G(NP0)（如GRM1555C1H系列），其Q值高、介损低（DF<0.1%），避免信号衰减；

  2. 电源链路：

    • 输入级：用 X7R 中压型号（如GRM316R61A），耐高压突波；

    • 芯片级：选 X6S/X5R 大容值（如GRM21BR60J107ME15），注意直流偏压特性；

  3. 温度敏感设计（汽车/户外通信）：
    避免Y5V材质（ΔC/C可达−80%），优选X7R（−55℃~125℃ ΔC/C≤±15%）。

Murata全系支持卷带包装（4000pcs/盘），适配SMT产线。需注意：大容量MLCC（>100μF）在低压场景可替代钽电容，但需验证ESR和纹波电流耐受。